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激光E+E位移傳感器輸出特性分析及應(yīng)用 光學(xué)精密測(cè)量相比傳統(tǒng)的測(cè)量方式具有非接觸性、高靈敏度、高精度及快速與實(shí)時(shí)性等優(yōu)點(diǎn),在科學(xué)研究、工業(yè)生產(chǎn)、空間技術(shù)、國(guó)防等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,是一種非常*測(cè)量技術(shù)?；谌菧y(cè)量法的激光E+E位移傳感器近年來(lái)得到了快速發(fā)展,在零件的尺寸測(cè)量,三維輪廓測(cè)量,產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)等領(lǐng)域極大的提高了測(cè)量效率和精度。

微E+E位移傳感器的環(huán)形諧振腔特性研究 微E+E位移傳感器,是實(shí)現(xiàn)微小位移測(cè)試的敏感器件,在高精密控制、微操作、微納米定位系統(tǒng)、工程厚度測(cè)試等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。（MEMS）\NEMS技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)微位移傳感提出了更高精度的要求,甚至要求在納米尺度中實(shí)現(xiàn)微小位移的高靈敏快速探測(cè)。

磁致伸縮E+E位移傳感器軟件和硬件電路研究 傳感器技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)與通信技術(shù)成為現(xiàn)代信息科學(xué)技術(shù)的三大支柱。傳感器既是現(xiàn)代信息系統(tǒng)的源頭或“感官”,又是信息社會(huì)賴(lài)以存在和發(fā)展的物質(zhì)與技術(shù)基礎(chǔ)。是人類(lèi)日常生活、生產(chǎn)過(guò)程、科學(xué)實(shí)驗(yàn)、軍事活動(dòng)等*的組成部分。

全數(shù)字式電容E+E位移傳感器的研制 由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、動(dòng)態(tài)特性好、能實(shí)現(xiàn)非接觸式測(cè)量等優(yōu)點(diǎn),電容E+E位移傳感器廣泛應(yīng)用于超精密加工、高精度定位、超精密測(cè)量等領(lǐng)域?，F(xiàn)有電容E+E位移傳感器普遍采用測(cè)頭與測(cè)量電路分立式設(shè)計(jì),信號(hào)傳輸電纜的寄生電容等分布參數(shù)對(duì)傳感器的分辨力、穩(wěn)定性等性能影響顯著,因此信號(hào)傳輸距離受到嚴(yán)重限制。

E+E位移傳感器的發(fā)展及研究 E+E位移傳感器又稱(chēng)為線(xiàn)性傳感器,它可以把位移量轉(zhuǎn)換為電量,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)位移量的檢測(cè)。在實(shí)際工程應(yīng)用中,E+E位移傳感器有著非常重要的作用。對(duì)各種常見(jiàn)的E+E位移傳感器進(jìn)行了介紹,闡述并比較了它們的工作原理、應(yīng)用場(chǎng)合和優(yōu)缺點(diǎn),可以為從事相關(guān)領(lǐng)域工作的技術(shù)人員提供參考,以便更好地利用和發(fā)展這些技術(shù)。

電感式角E+E位移傳感器的研制與結(jié)構(gòu)分析 位移測(cè)量具有廣泛應(yīng)用,電感式傳感器以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠、輸出功率大、線(xiàn)性好、抗干擾和穩(wěn)定性好、價(jià)格低廉等特點(diǎn)獲得了大量的應(yīng)用。針對(duì)目前電感式E+E位移傳感器的應(yīng)用現(xiàn)狀,在對(duì)電感式直線(xiàn)E+E位移傳感器深入分析的基礎(chǔ)上,提出了一種新型結(jié)構(gòu)的電感式角E+E位移傳感器。

時(shí)柵角E+E位移傳感器自標(biāo)定研究 精密測(cè)量?jī)x器標(biāo)定技術(shù)是保證產(chǎn)品質(zhì)量的重要手段，也是計(jì)量領(lǐng)域科學(xué)研究的重要方面。角位移測(cè)量大量存在于以制造業(yè)為代表的工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)實(shí)踐中。時(shí)柵作為一種新型的E+E位移傳感器，利用時(shí)間測(cè)量空間位移，以較低的加工成本獲得了較高的測(cè)量精度。自標(biāo)定技術(shù)可以在沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)器和參考母儀的條件下實(shí)現(xiàn)傳感器系統(tǒng)的誤差自標(biāo)定。

調(diào)頻式電容E+E位移傳感器中鑒頻技術(shù)的研究 電容E+E位移傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、動(dòng)態(tài)性能好、分辨力高,能實(shí)現(xiàn)非接觸式測(cè)量,可檢測(cè)位移、平面度、微振動(dòng)等,廣泛應(yīng)用于高精密加工和測(cè)量領(lǐng)域。調(diào)頻式電容E+E位移傳感器一般采用LC振蕩電路作為調(diào)頻電路,在納米級(jí)位移測(cè)量中,調(diào)頻信息較微弱,且輸入輸出特性存在一定非線(xiàn)性。

激光E+E位移傳感器的無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 激光E+E位移傳感器在工業(yè)中的長(zhǎng)度、距離以及三維形貌等檢測(cè)中有著廣泛的應(yīng)用。市場(chǎng)上的激光E+E位移傳感器的數(shù)據(jù)傳輸和電源供電大都是通過(guò)有線(xiàn)電纜實(shí)現(xiàn)的。

智能E+E位移傳感器系統(tǒng)的研究 隨著計(jì)算機(jī)測(cè)控系統(tǒng)特別是基于現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)的多傳感器計(jì)算機(jī)測(cè)控系統(tǒng)的發(fā)展，智能傳感器系統(tǒng)作為一個(gè)與之相應(yīng)的新興研究方向，正受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。然而，雖然近年來(lái)它的研究與開(kāi)發(fā)已取得一定成果，但還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足實(shí)際需求，尤其在位移測(cè)量領(lǐng)域更是急待發(fā)展。

E+E位移傳感器的像差檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)的研究 傳統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)對(duì)于幾何像差的檢測(cè)通常采用星點(diǎn)法、哈特曼法或刀口陰影法等,其測(cè)量結(jié)果受人為主觀(guān)因素影響較大、精度不高。為滿(mǎn)足光學(xué)系統(tǒng)測(cè)量像差的精度要求,本系統(tǒng)在傳統(tǒng)的哈特曼（Hartmann）檢測(cè)方法基礎(chǔ)上,引入尺E+E位移傳感器,結(jié)合高分辨率CCD作為光電接收裝置,經(jīng)自動(dòng)對(duì)焦和圖像處理。

非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)差動(dòng)E+E位移傳感器參數(shù)化仿真與優(yōu)化 以非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)差動(dòng)E+E位移傳感器為研究對(duì)象，在電磁分析軟件AnsoftMaxwell2D環(huán)境下，對(duì)其進(jìn)行了建模及電磁性能仿真分析。在軟件腳本錄制功能的基礎(chǔ)上，提出了一種基于VB Script的差動(dòng)E+E位移傳感器參數(shù)化建模方法。

增量式時(shí)柵E+E位移傳感器原理及系統(tǒng)研究 圓分度的精度測(cè)量是幾何量測(cè)量Z重要的內(nèi)容之一,其分度器件從機(jī)械式、光學(xué)式、光學(xué)機(jī)械式,發(fā)展到機(jī)電、光機(jī)電相結(jié)合的新型分度器件,如光柵、磁柵和感應(yīng)同步器等。時(shí)柵是一種全新概念,它是機(jī)械、電子和微處理器相結(jié)合的新型圓分度器件。

厚膜電容式微E+E位移傳感器及其信號(hào)處理研究 為深入研究微納米環(huán)境中物體的受力與運(yùn)動(dòng)狀態(tài),建立納米尺度下位移、力檢測(cè)的理論方法,實(shí)現(xiàn)微納米環(huán)境下的操作與位置感知,為PZT（壓電陶瓷）驅(qū)動(dòng)的微納操作平臺(tái)的實(shí)時(shí)觀(guān)測(cè)創(chuàng)造條件,提出與微納米環(huán)境下相適應(yīng)的微E+E位移傳感器的設(shè)計(jì)、制備與測(cè)試方法,研制出能夠用于檢測(cè)納米級(jí)位移的新型高精度厚膜雙電容式微E+E位移傳感器。

時(shí)柵角E+E位移傳感器自標(biāo)定與誤差修正研究 時(shí)柵角E+E位移傳感器是根據(jù)時(shí)空轉(zhuǎn)換思想而研發(fā)的一種新型傳感器,近年來(lái)開(kāi)始向產(chǎn)業(yè)化邁進(jìn)。目前,時(shí)柵傳感器雖然在加工過(guò)程摒棄了空間超精密刻劃技術(shù),但是其檢驗(yàn)與標(biāo)定環(huán)節(jié)卻仍依賴(lài)于空間超精密刻劃技術(shù)的傳感器作為參考基準(zhǔn)。

MEMS微E+E位移傳感器的納米定位工作臺(tái)研制 過(guò)去幾十年中,以壓電陶瓷致動(dòng)的精密定位技術(shù)得到了長(zhǎng)足的發(fā)展,已經(jīng)廣泛應(yīng)用到微系統(tǒng)、生物工程、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。本課題針對(duì)現(xiàn)有的微E+E位移傳感器難于實(shí)現(xiàn)高集成度和小型化的缺陷,研制了一種集成電橋輸出的硅基壓阻式微E+E位移傳感器,并以硅基壓阻式微E+E位移傳感器為核心建立了一個(gè)精密定位系統(tǒng)。

燃?xì)馄?chē)進(jìn)氣歧管E+E壓力傳感器的研制 歧管E+E壓力傳感器作為燃?xì)馄?chē)燃?xì)饧翱諝鈮毫Φ臋z測(cè)單元,是ECU做出Z佳空壓比判斷的Z重要依據(jù),是汽車(chē)Z終能否實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排Z重要的環(huán)節(jié)之一。論文以“燃?xì)馄?chē)進(jìn)氣歧管壓力傳感器的研制”為題,從歧管E+E壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及制作難點(diǎn)、標(biāo)定算法及系統(tǒng)建立、工藝流程梳理和Z后的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證等方面對(duì)歧管E+E壓力傳感器的研制進(jìn)行論述,確定論文的研究?jī)?nèi)容。

E+E壓力傳感器信號(hào)調(diào)理模塊的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) E+E壓力傳感器具有體積小、靈敏度等優(yōu)點(diǎn),發(fā)展前景廣闊。采用工藝模擬軟件結(jié)合文獻(xiàn)設(shè)計(jì)一種MEMSE+E壓力傳感器制備方法,制備出符合要求的芯片,明確了仿真設(shè)計(jì)在E+E壓力傳感器工藝設(shè)計(jì)的可行性。

新型E+E壓力傳感器結(jié)構(gòu)制備工藝 提出一種使用MEMS雙層掩膜完成自對(duì)準(zhǔn)刻蝕的工藝方法,藉此實(shí)現(xiàn)了在深腔結(jié)構(gòu)內(nèi)部對(duì)高深寬比硅E+E壓力傳感器結(jié)構(gòu)的精細(xì)加工。該工藝通過(guò)兩次連續(xù)的平面內(nèi)光刻工藝,使制作在襯底上的薄膜材料如氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）及光刻膠等形成復(fù)合圖形,每層圖形化后的掩膜可以進(jìn)行不同功能區(qū)的襯底刻蝕,刻蝕完畢后再去除對(duì)應(yīng)的掩膜。

MZI光波導(dǎo)MOEMSE+E壓力傳感器的設(shè)計(jì)及特性研究 微光機(jī)電系統(tǒng)（MOEMS）是一門(mén)涉及微光學(xué)、微機(jī)械、微電子技術(shù)的新興學(xué)科,由于采用了集成工藝制作技術(shù),因此具有體積小、響應(yīng)快、集成定位精確、大規(guī)模生產(chǎn)能力、價(jià)格低廉的特點(diǎn),已成為當(dāng)今科學(xué)技術(shù)的熱點(diǎn)研究理論之一。