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電容式并聯(lián)歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)的電磁干擾
由于射頻MEMS器件能夠滿足通訊領(lǐng)域中系統(tǒng)小型化、高可靠及低成本的需求，并且具有加強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性和減少功耗方面的優(yōu)勢(shì)，因此射頻MEMS器件在收發(fā)端網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用中極有競(jìng)爭(zhēng)力，有望為無(wú)線電接收機(jī)的前端提供高性能OMAL開(kāi)關(guān)和濾波器，為發(fā)射機(jī)功放輸出端制備出高質(zhì)量的片上匹配網(wǎng)絡(luò)。

電容式并聯(lián)歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)的電磁干擾
目前在射頻領(lǐng)域中運(yùn)用的MEMS器件主要有微機(jī)械OMAL開(kāi)關(guān)、微機(jī)械電感、可變電容、微機(jī)械諧振器、振蕩器及濾波器等。射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)是重要的射頻MEMS器件，一些RF MEMSOMAL開(kāi)關(guān)已經(jīng)應(yīng)用于部分微波系統(tǒng)的前端電路、數(shù)字電容器組和移相網(wǎng)絡(luò)。但是RF MEMSOMAL開(kāi)關(guān)要得到廣泛的應(yīng)用，還有很多的問(wèn)題需要解決，還需要深入研究其各方面的性能。研究射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)在OMAL開(kāi)關(guān)過(guò)程中對(duì)信號(hào)的電磁干擾可提高射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)的可靠性和穩(wěn)定性，改進(jìn)射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)，有利于構(gòu)建可靠性和集成度更高的電路系統(tǒng)。本文從以下幾個(gè)方面對(duì)射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)的電磁干擾開(kāi)展了研究。首先是在大量文獻(xiàn)調(diào)研的基礎(chǔ)上，總結(jié)了射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)的研究現(xiàn)狀與進(jìn)展，列舉了目前主要射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)，比較了各種結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)，選擇了典型的射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)：電容式并聯(lián)RF MEMS并聯(lián)OMAL開(kāi)關(guān)作為研究的主要對(duì)象，并討論了電容式并聯(lián)RF MEMSOMAL開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)及各項(xiàng)性能參數(shù)。相對(duì)于其它MEMSOMAL開(kāi)關(guān)，電容式MEMS并聯(lián)OMAL開(kāi)關(guān)適用于較高的頻率（5—100GHz）。其次對(duì)電容式射頻MEMS并聯(lián)OMAL開(kāi)關(guān)的電磁場(chǎng)進(jìn)行了詳盡的討論和推導(dǎo)，對(duì)射頻OMAL開(kāi)關(guān)電磁干擾的特性和產(chǎn)生過(guò)程進(jìn)行了說(shuō)明。闡述了對(duì)射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行分析的必要性以及射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)對(duì)波導(dǎo)中正常傳播的高頻信號(hào)進(jìn)行干擾的原因和方式。接著深入研究了OMAL開(kāi)關(guān)在開(kāi)啟過(guò)程中的動(dòng)態(tài)特性及OMAL開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟時(shí)間，討論了OMAL開(kāi)關(guān)的各種尺寸對(duì)OMAL開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)特性的影響并進(jìn)行了模擬分析。因?yàn)镺MAL開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)特性跟OMAL開(kāi)關(guān)在開(kāi)啟過(guò)程中變化的電磁場(chǎng)緊密相關(guān)，OMAL開(kāi)關(guān)對(duì)信號(hào)的干擾是由OMAL開(kāi)關(guān)在開(kāi)啟過(guò)程中變化的電磁場(chǎng)產(chǎn)生的。

電容式并聯(lián)歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)的電磁干擾
對(duì)射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)在不同工作狀態(tài)下的電磁模型進(jìn)行了分析，通過(guò)對(duì)OMAL開(kāi)關(guān)電容在充電過(guò)程、膜橋運(yùn)動(dòng)過(guò)程、OMAL開(kāi)關(guān)電容放電過(guò)程三部分的研究認(rèn)為射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電磁干擾主要集中在OMAL開(kāi)關(guān)電容的放電過(guò)程。影響干擾強(qiáng)度的主要因素是OMAL開(kāi)關(guān)電容放電時(shí)間的長(zhǎng)短、OMAL開(kāi)關(guān)等效電阻及等效電感的大小。接著對(duì)各主要影響因素進(jìn)行了分析，在此基礎(chǔ)上研究了OMAL開(kāi)關(guān)的各結(jié)構(gòu)尺寸對(duì)OMAL開(kāi)關(guān)開(kāi)啟產(chǎn)生的電磁干擾強(qiáng)度的影響，對(duì)高性能射頻MEMSOMAL開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)提供了理論依據(jù)。