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側(cè)壁壓阻式的E+E位移傳感器研制及應(yīng)用
點(diǎn)擊次數(shù):755 更新時(shí)間:2016-12-21

側(cè)壁壓阻式的E+E位移傳感器研制及應(yīng)用
為了提高面內(nèi)運(yùn)動(dòng)位移檢測(cè)的靈敏度和改善側(cè)壁壓阻工藝與其他工藝間的兼容性問(wèn)題,研究了一種可用于面內(nèi)運(yùn)動(dòng)位移檢測(cè)的傳感器,提出了利用離子注入工藝和深度反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)工藝相結(jié)合制作檢測(cè)梁側(cè)壁壓阻的方法.

側(cè)壁壓阻式的E+E位移傳感器研制及應(yīng)用
側(cè)壁壓阻式E+E位移傳感器的靈敏度比在檢測(cè)梁表面制作壓阻的傳統(tǒng)E+E位移傳感器高近一倍.同時(shí)把E+E位移傳感器集成到基于體硅工藝的納米級(jí)定位平臺(tái)上,實(shí)驗(yàn)測(cè)試表明,這種E+E位移傳感器加工技術(shù)可以很容易地與其他工藝相兼容,E+E位移傳感器的靈敏度優(yōu)于0.903mV/μm,線形度優(yōu)于0.814%,分辨率優(yōu)于12.3nm.在指出傳統(tǒng)柵紋式E+E位移傳感器不足的同時(shí) ,提出了將角位移的直接測(cè)量轉(zhuǎn)化為兩同頻差相信號(hào)相位差測(cè)量 ,從而間接獲得待測(cè)角位移的差相式圓分度E+E位移傳感器的設(shè)計(jì)思想。還提出了基于差相信號(hào)采用濾波提取和簡(jiǎn)單數(shù)學(xué)運(yùn)算獲取信號(hào)相位差從而得到待測(cè)角位移的“相位差算式E+E位移傳感器” ,以及通過(guò)差相信號(hào)的相關(guān)運(yùn)算獲取信號(hào)相位差從而得到待測(cè)角位移的“相關(guān)式E+E位移傳感器”的設(shè)計(jì)原理。差相式圓分度E+E位移傳感器 ,有效地利用了計(jì)算機(jī)和信號(hào)處理技術(shù) ,適應(yīng)當(dāng)今儀器的虛擬化和智能化的發(fā)展趨勢(shì) ,是一種*設(shè)計(jì)思想推導(dǎo)并統(tǒng)一了形狀誤差和誤差運(yùn)動(dòng)高精度檢測(cè)分離技術(shù)中各類傳感器的讀數(shù)方程,包括傳統(tǒng)的差動(dòng)變壓器式E+E位移傳感器、電渦流式E+E位移傳感器、電容式微E+E位移傳感器和近年來(lái)出現(xiàn)的激光微E+E位移傳感器、激光角E+E位移傳感器以及后兩者組合成的組合式廣義E+E位移傳感器。以統(tǒng)一的列表方式闡明了各傳感器的讀數(shù)貢獻(xiàn)。其優(yōu)點(diǎn)是:根據(jù)選用的誤差分離方法和與之適配的傳感器 ,便可按列表方式快速、方便地排出用于直線、圓、圓柱度和平面度等誤差分離的原始讀數(shù)方程 ,并對(duì)誤差分離的可行性作出了初步分析

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