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聯(lián)系我們納米薄膜電阻式E+E壓力傳感器
從理論上探討了納米薄膜電阻式E+E壓力傳感器的工作原理并設(shè)計了一種高精度E+E壓力傳感器芯片，提出了適合高精度納米薄膜電阻式E+E壓力傳感器的表征方法，分析了傳感器的轉(zhuǎn)換電路并對它們進行了比較。 采用離子束濺射沉積技術(shù)，在經(jīng)過特殊處理的17-4PH不銹鋼彈性襯底上成功制備了NiCr納米薄膜，成功地制備出了高絕緣性的SiO_2絕緣膜，用絕緣儀在100V直流電壓下測得絕緣電阻大于10000MΩ。深入地分析了濺射速率、工作氣壓和襯底溫度等參數(shù)對成膜機理、薄膜性能結(jié)構(gòu)與生長速率的影響；理論和實驗相結(jié)合，得出了較合理的薄膜生長工藝條件；分析了熱處理工藝對合金薄膜傳感器穩(wěn)定性的影響，提出了一種新型NiCr納米薄膜傳感器芯片熱處理工藝；研制出了高性能納米合金薄膜E+E壓力傳感器芯片，其zui高使用溫度比擴散硅式E+E壓力傳感器以及電容式E+E壓力傳感器的zui高使用溫度高100℃，其穩(wěn)定性與傳統(tǒng)粘貼式E+E壓力傳感器相比得到了顯著提高。用SEM分析了納米NiCr薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌，并用輪廓儀測量了NiCr薄膜的厚度，實驗結(jié)果表明NiCr薄膜表面形貌均勻連續(xù)，厚度為84.4nm。通過實驗與理論分析，zui終優(yōu)化出了一種制備薄膜電阻式E+E壓力傳感器芯片的新工藝。分析了影響納米薄膜E+E壓力傳感器靈敏度溫度漂移特性的原因，使用C++語言設(shè)計了靈敏度溫度漂移計算機補償軟件，避免了硬件補償技術(shù)本身帶來的不穩(wěn)定性；用Java語言和數(shù)據(jù)庫技術(shù)開發(fā)了對傳感器特性和工藝參數(shù)進行處理的軟件，大大提高了數(shù)據(jù)管理和數(shù)據(jù)分析的能力，對傳感器的開發(fā)和研究起到了極大的幫助作用。
納米薄膜電阻式E+E壓力傳感器
在前述工作的基礎(chǔ)上成功地研制出了納米薄膜電阻式E+E壓力傳感器，綜合測試結(jié)果表明該新型傳感器體積小，功耗低，精度達0.1級，能在高溫(zui高達200℃)、高壓(zui高達80Mpa)等惡劣環(huán)境下長期穩(wěn)定和可靠地工作。在200℃下工作半年，其零點漂移小于0.1％F·S。
